Szinte mindent, ami olvasható, bevezetik a szilícium-karbidot: a szilícium-karbid sávtávolsága a szilícium (szélessávú rés) 2,8-szerese és 3,09 elektronvolta. Dielektromos bontási térerőssége a szilícium 5,3-szorosa, 3,2 MV / cm-ig. Hővezetőképessége 3,3-szorosa a szilíciuménak, ami 49w / cm.k. A szilícium-karbidból készült Schottky diódák és az MOS mezőtranzisztorok nagyságrenddel vékonyabbak, mint ugyanazon feszültségálló szilikon készülékeknél. A szennyeződés koncentrációja két nagyságrendű szilícium lehet. Tehát a szilícium-karbid-eszköz területegységenkénti impedanciája csak egy század a szilícium-eszköz eszközének. Drift ellenállása majdnem megegyezik a készülék teljes ellenállásával. Ezért a szilícium-karbid eszköz fűtőértéke rendkívül alacsony. Ez elősegíti a vezetőképesség és a kapcsolási veszteségek csökkentését, és az üzemi frekvencia általában több mint tízszeresére növekszik, mint a szilíciumkészülékeknél. Ezen felül a szilícium-karbid félvezetők eredendően erős sugárállósággal rendelkeznek. Az utóbbi években olyan szilícium-karbid anyagból készült erőműveket, mint például az IGBT-ket (szigetelt kapu bipoláris tranzisztorokat) használtak olyan folyamatokban, mint például a kisebbségi szubinjekciók, hogy az üzemi impedanciát a hagyományos szilícium-készülékek tizedére csökkentsék. Ezenkívül magának a szilícium-karbid-eszköznek kis hőtermelése van, és így a szilícium-karbid-eszköz kiváló hővezető képességgel rendelkezik. A szilícium-karbid erőművek emellett 400 ° C magas hőmérsékleten is működhetnek. Apró eszközökkel képes irányítani a nagy áramokat. A működési feszültség szintén sokkal nagyobb. https://www.hshightec.com/
